学术报告（俄亥俄州立大学鲁武教授）6月4日B-213-GaN Field Effect Transistors: Design, Processing, and

各位老师，大家好！
美国俄亥俄州立大学电子工程系鲁武教授将访问天游ty8官方网站并做一个学术报告。报告摘要及个人简历见附件，欢迎感兴趣的老师和学生参加！
报告题目是：GaN Field Effect Transistors: Design, Processing, and Characterization
报告时间是：6月4日上午10：00 - 11：00.
报告场地：微电子楼B-213会议室。
联系人：李娟