讲座题目：氮化镓基材料与激光器
讲座时间：2024年4月3日 9:30
讲座地点：江湾校区 交叉二号楼 B2008
主讲人介绍：赵德刚博士，中国科学院半导体所研究员、博士生导师，2009年国家杰出青年科学基金获得者，2011年中国青年科技奖获得者，2017年国家百千万人才工程入选者，2018年国家中青年科技创新领军人才，2019年国家万人计划入选者，国家重点研发计划首席科学家，享受国务院政府特殊津贴专家。1994、1997年在电子科技大学分别获得学士、硕士学位，2000年在中国科学院半导体所获得博士学位，主要从事氮化镓基光电子材料与器件研究，主持了国家重点研发计划、国家自然科学基金等多个项目，研制出我国第一支氮化镓基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器和紫外雪崩光电探测器，发表SCI论文370多篇，获得国家发明专利40多项。
内容摘要：氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了从近红外、可见光到深紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基蓝光LED的发明引发了照明技术和产业的革命，而GaN基激光器在激光显示、激光照明、激光加工等领域有重要的应用，更是高难度的光电子器件，受到了广泛关注。本报告从分析GaN基激光器的主要难点出发，深入探讨了材料外延、结构设计和器件工艺等技术，并获得了高性能器果。研究成果对GaN基激光器的研究和发展有促进作用。
